蓋世汽車訊 據(jù)外媒報(bào)道，IBM在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和工藝方面取得了突破，開發(fā)出全球首款采用2nm（納米）技術(shù)的芯片。半導(dǎo)體在計(jì)算、通信設(shè)備、運(yùn)輸系統(tǒng)和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)領(lǐng)域都扮演著重要角色。

（圖片來源：IBM Research）

市場對于提高芯片性能和能源效率的需求持續(xù)增長，尤其是在混合云、AI和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。IBM的新型2nm芯片技術(shù)有助于推進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，從而滿足這一不斷增長的需求。與目前最先進(jìn)的7nm節(jié)點(diǎn)芯片相比，預(yù)計(jì)2nm芯片的性能將提高45%，能耗降低75%。

2nm芯片的潛在優(yōu)勢包括:

• 使手機(jī)電池壽命延長四倍，用戶只需每四天充電一次。

• 削減數(shù)據(jù)中心碳足跡，這些數(shù)據(jù)中心占全球能源使用量的百分之一。如果將所有服務(wù)器改為基于2nm的處理器，可能會顯著降低這一比例。

• 大大提高筆記本電腦的性能，包括更快的應(yīng)用程序處理、更輕松的語言翻譯，以及更快的互聯(lián)網(wǎng)接入。

• 加快自動駕駛汽車的物體檢測速度，縮短反應(yīng)時(shí)間。

IBM在半導(dǎo)體領(lǐng)域的突破還包括首次實(shí)現(xiàn)7nm和5nm工藝技術(shù)、單管DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）、Dennard標(biāo)度律、化學(xué)放大光刻膠、銅互連布線、絕緣硅片技術(shù)、多核微處理器、高K柵介質(zhì)、嵌入式DRAM，以及3D芯片堆疊。IBM的首款商業(yè)化產(chǎn)品，包括IBM Research 7 nm技術(shù)進(jìn)展，將于今年晚些時(shí)候在基于IBM power10的IBM Power Systems中亮相。

增加每個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量，可使其更小、更快、更可靠、效率更高。在宣布具有里程碑意義的5nm芯片設(shè)計(jì)后，不到4年的時(shí)間，IBM又獲得了該項(xiàng)最新突破，將使2nm芯片能夠在指甲大小的芯片上容納多達(dá)500億個(gè)晶體管。

此外，芯片上的晶體管數(shù)量增加也意味著處理器設(shè)計(jì)師擁有更多的選擇權(quán)，以助力核心層面的創(chuàng)新，提高AI和云計(jì)算等前沿工作負(fù)載的能力，以及找到硬件強(qiáng)制安全和加密的新途徑。IBM已在其最新一代IBM硬件（如IBM POWER10和IBM z15）中實(shí)現(xiàn)了其他創(chuàng)新核心級增強(qiáng)功能。

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