蓋世汽車(chē)訊 據(jù)外媒報(bào)道，富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案（Fujitsu Semiconductor Memory Solution）公司宣布開(kāi)始量產(chǎn)4Mbit FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）MB85RS4MTY，可在125°C高溫下運(yùn)行。

（圖片來(lái)源：富士通）

該FRAM產(chǎn)品符合AEC-Q1001級(jí)汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)，非常符合工業(yè)機(jī)器人和汽車(chē)應(yīng)用，例如需要高可靠性電子元件的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）。

（圖片來(lái)源：富士通）

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，其讀寫(xiě)耐久性高、寫(xiě)入速度快，且功耗低，并已量產(chǎn)20多年。而這種帶有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的寬電源電壓下運(yùn)行。在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，該FRAM可保證10萬(wàn)億次讀/寫(xiě)周期和低工作電流，例如最大4mA的寫(xiě)入電流（工作頻率為50MHz）。此外，該產(chǎn)品還采用8引腳DFN（Dual Flatpack No-leaded，雙扁平無(wú)引線(xiàn)）封裝。

該FRAM產(chǎn)品可解決在高可靠性應(yīng)用中使用EEPROM（電可擦除只讀存儲(chǔ)器）或SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）產(chǎn)生的一系列問(wèn)題。如在在使用EEPROM時(shí)，由于寫(xiě)耐久性規(guī)范的限制，用戶(hù)難以頻繁記錄數(shù)據(jù)，但使用FRAM可保證10萬(wàn)億讀/寫(xiě)周期，同時(shí)還可以在發(fā)生突發(fā)事故或停電時(shí)，保護(hù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，避免數(shù)據(jù)丟失；使用SRAM時(shí)，會(huì)難以取出電池保留數(shù)據(jù)，但使用FRAM非易失性存儲(chǔ)器，可以有效保留數(shù)據(jù)。

（圖片來(lái)源：富士通）

總之，該FRAM不僅可以幫助客戶(hù)減輕開(kāi)發(fā)負(fù)擔(dān)、增強(qiáng)客戶(hù)產(chǎn)品性能，還可降低成本。

返回第一電動(dòng)網(wǎng)首頁(yè) >