目前很多模塊封裝機(jī)構(gòu)仍沿用Si 基模塊的封裝結(jié)構(gòu)和工藝，難以實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的優(yōu)越性能，封裝技術(shù)已成為阻礙SiC功率模塊在電控上應(yīng)用的一個(gè)主要瓶頸。什么是先進(jìn)的SiC功率模塊封裝，如何提高封裝的散熱效能、可靠性及降低雜散電感參數(shù)，以及如何優(yōu)化封裝成本，這些都是行業(yè)最為關(guān)切的問題。

為此，中國(guó)汽車工程學(xué)會(huì)將在8月8-9日在青島舉辦車規(guī)級(jí)SiC功率模塊封裝與應(yīng)用技術(shù)論壇，邀請(qǐng)中國(guó)科學(xué)院電工所、上汽捷能、Yole Développement、緯湃科技、博格華納、法雷奧、博世、英飛凌、丹佛斯、中車時(shí)代半導(dǎo)體等單位的高層技術(shù)專家，分享最新的SiC功率模塊封裝及應(yīng)用技術(shù)趨勢(shì)與創(chuàng)新技術(shù)：

• 應(yīng)用SiC模塊的電控系統(tǒng)開發(fā)及發(fā)展戰(zhàn)略

• 全球SiC模塊關(guān)鍵封裝技術(shù)刨析及趨勢(shì)

• SiC模塊封裝設(shè)計(jì)方法

• AMB復(fù)合基板，銀/銅燒結(jié)，銅引線/銅板鍵合，高溫樹脂塑封技術(shù)分析

• 以基板取代引線鍵合的新一代功率模塊

• 英飛凌新一代SiC主驅(qū)逆變器解決方案：SiC的創(chuàng)新點(diǎn)及創(chuàng)新的封裝形式等

• 雜散電感2.8 nH，芯片之間最大溫差為10k的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊封裝技術(shù)

• SiC模塊密度提升帶來的散熱與可靠性問題解決方案

• SiC逆變器應(yīng)用效率提升技術(shù)

• 車載GaN和SiC集成功率模塊的第四代充電機(jī)技術(shù)

演講之后還將組織一場(chǎng)高層互動(dòng)論壇，探討什么是夢(mèng)想中的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊封裝技術(shù)。

這將是汽車行業(yè)內(nèi)首次聚焦電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)SiC功率模塊封裝技術(shù)，且由半導(dǎo)體、模塊、電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、整車產(chǎn)業(yè)鏈上下游及科研機(jī)構(gòu)共同研討的論壇，部分嘉賓及演講內(nèi)容如下：

整個(gè)論壇具體日程安排如下：

車規(guī)級(jí)SiC功率模塊動(dòng)態(tài)性能參數(shù)應(yīng)該達(dá)到多少，散熱傳熱效能優(yōu)化到什么程度，可靠性循環(huán)測(cè)試如何轉(zhuǎn)換為車企認(rèn)可的循環(huán)壽命，怎么做到應(yīng)用端要求的低成本，這些問題都處于模糊狀態(tài)。究其原因，就是整車企業(yè)應(yīng)用SiC功率模塊，本身就是摸著石頭過河，且各自為戰(zhàn)；車企閉門造車，半導(dǎo)體企業(yè)閉門造模塊，在可靠性等指標(biāo)上難以建立整車與模塊的直接聯(lián)系。

什么才是車規(guī)級(jí)SiC功率模塊，整個(gè)行業(yè)需要達(dá)成一個(gè)共識(shí)，才能在接下來的創(chuàng)新中摸索出符合實(shí)際應(yīng)用要求的技術(shù)路線。

針對(duì)以上問題，論壇將特別設(shè)置高層互動(dòng)環(huán)節(jié)，擬邀請(qǐng)一汽集團(tuán)，上汽捷能，博格華納，英飛凌，丹佛斯，中車時(shí)代半導(dǎo)體的技術(shù)高層就打造車企夢(mèng)想的SiC功率模塊展開討論，這也將是汽車行業(yè)首次專門針對(duì)SiC功率模塊封裝相關(guān)敏感話題展開交流互動(dòng)。

同期還將舉行第十四屆國(guó)際汽車變速器及驅(qū)動(dòng)技術(shù)研討會(huì)，具體安排如下：

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