蓋世汽車訊  據(jù)外媒報道，英飛凌公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC?技術，提高既定芯片面積的導通電阻。作為領先的碳化硅（SiC）芯片，這款CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H適用于一系列產品組合，將采用流行的Easy系列模塊，以及使用.XT互連技術的離散封裝。M1H芯片具有高度靈活性，適用于需要滿足峰值需求的太陽能系統(tǒng)，如逆變器。該芯片也適用于電動汽車快速充電、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用。

（圖片來源：英飛凌）

CoolSiC基技術的最新進展，使柵極運行窗口明顯增大，從而提升既定芯片面積的導通電阻。與此同時，更大的柵極運行窗口，針對與柵極驅動器和布局相關的電壓峰值，提供高度穩(wěn)健性，即使在更高的開關頻率下也沒有限制。除了M1H芯片技術，相關外殼還可用于技術和封裝變體，以實現(xiàn)更高的功率密度，并為設計工程師提供更多選擇，以提高應用性能。

M1H將集成到廣受歡迎的Easy系列，以進一步完善Easy 1B和2B模塊。此外，還將推出一款新產品，使用新的1200 V CoolSiC MOSFET來增強Easy 3B模塊。所推出的新尺寸芯片可充分提升靈活性，以確保實現(xiàn)最廣泛的工業(yè)組合。使用M1H芯片，可以顯著提高模塊的導通電阻，使器件更加可靠、高效。

此外，最高臨時結溫度為175°C，過載能力增強，從而實現(xiàn)更高的功率密度和故障事件覆蓋范圍。與其前身M1相比，M1H實現(xiàn)了較小的內部RG，從而輕松優(yōu)化開關行為。M1H芯片保持了這種動態(tài)行為。

除了Easy模塊系列，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H產品組合，還通過TO247-3和TO247-4分立封裝，提供新的超低導通電阻7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件易于設計，特別是由于柵電壓過沖和欠沖，新的最大柵源電壓降至-10 V，并具有雪崩和短路能力。

以前在D 2PAK-7L封裝中引入的.XT互連技術，現(xiàn)在也可在TO-封裝中實現(xiàn)。與標準互連相比，散熱能力提高了30%以上。受益于這種熱效益，輸出功率可提高達15%。另外，這還有助于增加開關頻率，以進一步減少電動汽車充電、儲能或光伏系統(tǒng)等應用中的無源組件，提高功率密度，并降低系統(tǒng)成本。在不改變系統(tǒng)運行條件的情況下，.XT技術將降低SiC MOSFET的結溫度，從而顯著提高系統(tǒng)壽命和功率循環(huán)能力。

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