蓋世汽車訊 9月6日，先進專用集成電路（ASIC）廠商創(chuàng)意電子公司（GUC）宣布，其基于臺積電（TSMC）5nm制程技術(shù)的HBM3 IP解決方案已通過8.4 Gbps流片驗證。該平臺包含全功能HBM3控制器和物理層IP（PHY IP），以及采用臺積電先進CoWoS?技術(shù)的廠商HBM3內(nèi)存。
目前，HBM內(nèi)存供應(yīng)商制定了積極的路線圖，將傳輸率和內(nèi)存大小從HBM3提高到HBM3E/P，并在HBM4上進一步將信號總線寬度加倍。但是，基本DRAM時序參數(shù)沒有改變，并且HBM控制器變得越來越復(fù)雜，以提高總線利用率。
創(chuàng)意電子的HBM3控制器可在隨機存取時實現(xiàn)90%以上的總線利用率，同時保持低延遲性。創(chuàng)意電子采用臺積電5nm技術(shù)的HBM3 IP已通過流片驗證，并于今年年初推出采用臺積電3nm技術(shù)的HBM3 IP，該IP支持臺積電CoWoS-S和CoWoS-R，可達到下一代HBM3E/P內(nèi)存（尚在規(guī)劃中）的速度。自2020年起，創(chuàng)意電子的HBM控制器和物理層IP已用于客戶生產(chǎn)的HPC ASIC。
來源：蓋世汽車
作者：Elisha
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