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  4. 1200V SiC MOSFET/1200V電壓平臺(tái)碳化硅平面柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管丨派恩杰確認(rèn)申報(bào)2024金輯獎(jiǎng)·中國(guó)汽車(chē)新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)

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蓋世汽車(chē)

1200V SiC MOSFET/1200V電壓平臺(tái)碳化硅平面柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管丨派恩杰確認(rèn)申報(bào)2024金輯獎(jiǎng)·中國(guó)汽車(chē)新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)

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申請(qǐng)技術(shù)丨1200V SiC MOSFET/1200V電壓平臺(tái)碳化硅平面柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管

申報(bào)領(lǐng)域丨車(chē)規(guī)級(jí)芯片

獨(dú)特優(yōu)勢(shì):

國(guó)際領(lǐng)先的Cell Pitch,連續(xù)多年交付國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)客戶(hù),目前已在超過(guò)一百萬(wàn)輛新能源汽車(chē)上搭載派恩杰車(chē)規(guī)芯片

應(yīng)用場(chǎng)景:

廣泛應(yīng)用于汽車(chē)主驅(qū)逆變器、OBC、DCDC等車(chē)載關(guān)鍵應(yīng)用

未來(lái)前景:

大范圍應(yīng)用于800V平臺(tái)的新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器及OBC、DCDC,市場(chǎng)規(guī)模超千億

金輯獎(jiǎng)介紹:

“金輯獎(jiǎng)”由蓋世汽車(chē)發(fā)起,旨在“發(fā)現(xiàn)好公司,推廣好技術(shù),成就汽車(chē)人”, 并圍繞著“中國(guó)汽車(chē)新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)”這個(gè)主題進(jìn)行展開(kāi),本屆金輯獎(jiǎng)重點(diǎn)聚焦智能駕駛、智能座艙、智能底盤(pán)、汽車(chē)軟件、車(chē)規(guī)級(jí)芯片、大數(shù)據(jù)及人工智能、動(dòng)力總成及充換電、熱管理、車(chē)身及內(nèi)外飾、新材料十大細(xì)分板塊,進(jìn)行優(yōu)秀企業(yè)及先進(jìn)技術(shù)解決方案的評(píng)選,向行業(yè)內(nèi)外展示這些優(yōu)秀的企業(yè)和行業(yè)領(lǐng)軍人物,共同推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。

來(lái)源:第一電動(dòng)網(wǎng)

作者:蓋世汽車(chē)

本文地址:http://www.medic-health.cn/news/shichang/243067

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