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東芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低開關(guān)損耗

蓋世汽車 劉麗婷

蓋世汽車訊 據(jù)外媒報(bào)道,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba,東芝)推出采用有助于降低開關(guān)損耗4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET,即TWxxxZxxxC系列。該產(chǎn)品采用東芝最新的第三SiC MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列產(chǎn)品共有10款,其中5款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,并均已開始批量出貨。

東芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低開關(guān)損耗

圖片來源:東芝

來源:蓋世汽車

作者:劉麗婷

本文地址:http://www.medic-health.cn/news/jishu/209586

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